揭示Zn-p阳极的多个潜在问题对理解机理和对策至关重要，大家的图但很少在水溶液中对其进行研究。

BAc：今年聚1,3-丁二烯骨架+丙烯酯交联官能团，使其只能与自身进行交联。牛津大学IainMcCulloch课题组、说高斯坦福大学JianQin（秦健）课题组、南密西西比大学XiaodanGu（顾晓丹）课题组等参与了此工作。

在研究中发现（图2h），考作只有BH/DPPTT的复合半导体膜的迁移率随BH含量增加而显著下降（最终降至0.06cm2 V-1 s-1），考作但BA、BF、BAc与DPPTT的复合半导体薄膜迁移率与纯DPPTT的迁移率一致，无论混合比例如何，都维持在1cm2 V-1 s-1的值。与纯DPPTT相比，大家的图复合膜的模量减小了四倍，且拉伸断裂长度提高了一个数量级（图2k-m）。IDTBT之前已经被Zhenan Bao组报道具有高度的可拉伸性，今年但该可拉伸性却完全不可逆（即非弹性：今年在外界拉伸被撤去后无法回到原有状态，呈现大量褶皱，电学性能显著下降）。

同时，说高该介电层复合膜的力学弹性也被证明极好（图4h）。鲍哲南：考作斯坦福大学化工系K.K.Lee讲席教授，考作美国艺术与科学学院、美国工程院两院院士，主要从事人造电子皮肤、有机半导体、生物电子学、锂电池等领域的研究。

【工作介绍】在本工作中，大家的图作者使用了一系列可原位形成弹性体基质的前驱体（in-siturubbermatrixprecursor，大家的图iRUMprecursorBA，图1），用于作为DPPTT高分子半导体的基质，通过加热或者紫外光引发交联，实现了可逆弹性、可图案化、抗溶剂的多功能半导体活性层。

光图案化后，今年复合膜的迁移率也维持在1cm2 V-1 s-1的值（图4a-c）。说高（c）FA1-xCsxPbI3和FA1-xCsxSnI3的带隙随Cs含量的变化。

考作上图：如何防止退火相关的应变产生的图表。大家的图（b）采用先进的原位和非原位表征技术全面表征卤化物钙钛矿样品中的应变。

今年（f）计算沟道裂纹和边缘分层的应变能释放率G。【图文导读】图一、说高卤化物钙钛矿应变的定义和测量上行分别给出了无应变（a）、压缩/拉伸应变（b）、微应变（c）和原子矢量位移（d）的示意图。