针对此需求，中国南京大学余林蔚、中国徐骏教授团队探索将高品质的一维硅纳米线（SiNWs）阵列可靠转移集成到弹性衬底PDMS之上，实现了超可拉伸的高性能场效应晶体管（FET）器件应用。

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由于隔膜是可溶性LiPS进入锂负极的唯一途径，业2有望合理设计和改性隔膜是抑制穿梭效应、提高LSBs整体性能的有效途径。具有微孔结构的隔膜一般只起电子绝缘体和锂离子导体的作用，向上这也可能允许LiPS的运输。